为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大？？？

(原)合作进步

同样，有些升压芯片多了一个 BOOST/BST 引脚，如下图所示（来自 TI 升压电源芯片
TPS61178X 数据手册）：

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这里要说明一下：上图中芯片外围接有的 PMOS 管并不是必须的，因为 BOOST 拓扑由
于其本身的特性，在芯片不工作时输出是无法关闭的（输出电压略小于输入电压），这与 BUCK
拓扑不同，如果需要完全关闭电压输出，必须额外添加一个 PMOS 管开关电路，这就是我们
在文章开关介绍的 PMOS 管电源开关控制电路。
该芯片的内部开关管的结构如下图所示（来自 TI 升压电源芯片 TPS61178X 数据手册）：

(原)合作进步

当然，异步整流升压芯片就没必要再弄个 BST 引脚了，因为 NMOS 管已经是比较理想
的架构了，我们在文章《开关电源（2）之 BOOST 变换器》中也是用 NMOS 管来仿真的，如
下图所示：

(原)合作进步

PMOS 管有时也纳了闷了：我招谁惹谁了我，辛辛苦苦勤勤恳恳地工作几十年，竟然没
人欣赏我，不由得心生“既生瑜，何生亮”之感慨，然则原因何在？
前面提到过，PMOS 管的导通电阻比 NMOS 管的导通电阻要大，我们可以找外部参数尽
量相同的数据手册来对比一下，如下图所示：

(原)合作进步

在相同的工艺、耐压等条件下，NMOS 导通电阻为 0.036W（W 就是欧姆的意思，形状
很像符号 Ω），而 PMOS 导通电阻要大得多，其值为 0.117Ω，当然，这并不能作为 PMOS 管
的导通电阻比 NMOS 要大的直接证据，然而事实上，在相同的工艺及尺寸面积条件下，PMOS
管的导通电阻确实要比 NMOS 管要大，这样 PMOS 开关管的导通损耗比 NMOS 要大。
将 PMOS 管应用场合比较少的原因归结于 P  沟道导通电阻更大似乎是个比较理想的答
案，然而我们还是不禁要问一下：么 为什么 PMOS  管的导通电阻比 NMOS  要大呢？这主要是
源自于导通沟道在一个特性方面的差别： 电子迁移率（Electron mobility） ）。
我们在文章《二极管》里讲解 PN 结的时候，已经提到过 P 型半导体与 N 型半导体的由
来，P 型半导体就是在本征半导体（纯净无掺杂的）中掺入 3 价的元素（如硼元素），其结
构如下图的所示：

(原)合作进步

在合理的范围内掺入的杂质越多，则多数载流子空穴就更多，P 型半导体的导电性也似乎将会变得更好。

(原)???....

好牛逼，不过看不懂

tyuka

不明觉厉啊

听说PMOS笔记本电池保护板上有

whseen

合作进步 发表于 2018-5-3 11:07
在合理的范围内掺入的杂质越多，则多数载流子空穴就更多，P 型半导体的导电性也似乎将会变得更好。

看供应价格就知道了。同样内阻下，Pmos比Nmos贵。同样成本下，Pmos内阻比Nmos大。我估计Pmos芯片制造要比Nmos复杂。三极管和IGBT等也是P型比N型贵，一般尽量用N型，有些像逆变器和无刷驱动板需要P型。

(原)cyyar

这是讲座吗？一个人可以水好多楼