MOSFET的VGS怎麼看?

(原)shinchu1017

以ILR3713为例 , +-20V是什么意思 ? 20V以内正负极性可以相反的意思吗? 有包含经过电阻之后的压降吗? VGS(th)=1.0-2.5V又是什麼意思?
求大神解释

(原)ccc7387

+-20V是栅极驱动电压，负压更有利于关断，导通压降是用内阻乘以工作电流。

(原)shinchu1017

按照我自己的理解是VGS代表GS两点的最大压差 , VGS(th)代表最低启动的压差 , 这样是否有误?

(原)Ξ李旭光Ξ

Vgs是驱动电压，限值是20V，超过20V可靠性不保证，但是低频也不会立马坏的。-20V是泄放电压的限值，同样超过限值不能保证可靠性。泄放一般在高频下使用，可以使MOS关断更可靠。一般像几十K的低频就不需要负压。正压灌电流，负压抽电流。VGS<th>一般指的不是启动电压，而是米勒平台电压，这个电压点需要大电流来使驱动电压拉起来。一般用这个参数和Qg还有驱动频率三个来设计驱动电路。

(原)Ξ李旭光Ξ

像这么低的米勒平台电压，设计驱动电路时需要远离功率变压器等主功率器件，并且栅源加K级电阻，防止EMC造成的误导通。

(原)shinchu1017

Ξ李旭光Ξ 发表于 2018-7-31 17:33
Vgs是驱动电压，限值是20V，超过20V可靠性不保证，但是低频也不会立马坏的。-20V是泄放电压的限值，同样超 ...

我今天测试了一下以24V驱动接10K电阻 , VGS=22.7v (已修正 ) , 這樣應該就超過了 , 另外附加一个问题 : 如果我用驱动电压来控制MOSFET可通过电流大小这样可靠吗?

lshu

shinchu1017 发表于 2018-7-31 18:31
我今天测试了一下以30V驱动接10K电阻 , VGS=5V , 离上限20V还有一大段距离 , 所以这是在安全范围内的意思 ...

这样相当于线性控制，若电流大则场效应管发热量巨大！

(原)shinchu1017

lshu 发表于 2018-7-31 21:26
这样相当于线性控制，若电流大则场效应管发热量巨大！

对不起各位 , 我6f数据错了 , 用24v驱动+10k电阻 , vgs是22.7v才对 , 也就是超过了 , 看来驱动电源以不超过20v比较保险 , 我大概懂了 ^^

(原)Ξ李旭光Ξ

shinchu1017 发表于 2018-7-31 18:31
我今天测试了一下以30V驱动接10K电阻 , VGS=5V , 离上限20V还有一大段距离 , 所以这是在安全范围内的意思 ...

1，驱动电阻一般接10Ω到50Ω，就是串到驱动电路里的，起控制驱动电流的作用，具体调试时看驱动波形。如果直接串联10k进去，驱动电流就很小了，高频驱动能力就没有了，频率一起来驱动电阻肯定就烧了。10k应该是并在栅源的，起到防静电击穿漏源和干扰误导通的作用。
2，MOS本来就是开关管，不能用做限流，再说它根本就不线性。根本就没有线性阶段，开通前内阻很大，栅极电压到了导通后内阻就剩毫欧级别的。

(原)Ξ李旭光Ξ

shinchu1017 发表于 2018-7-31 21:34
对不起各位 , 我6f数据错了 , 用24v驱动 10k电阻 , vgs是22.7v才对 , 也就是超过了 , 看来驱动电源以不超 ...

驱动电压经验值一般都是10～15V