为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大？？？

(原)qq543592229

看了一遍，晕的，是不是因为P型和N型因为内部结果不同，P型相对N型内阻更大？成本也回更高？

(原)wxbwxb

PMOS的导通是靠空缺移动导电，NMOS的导通沟道是电子移动导电，所以在同等沟道宽度的情况下,P沟道的导通电阻，比N沟道要大得多，所以，在大功率应用中都选NMOS场效应管。空缺的移动比电子的移动要困难得多。表现出来的就是导通电阻大很多，不在一个数量级。
至于BST引脚，叫做自举升压电路，目的是保证在任何情况下，栅极驱动电压总是比源极高，因为在同步整流电路中，输出级的上臂打开时，源极电压与电源的供电电压很接近，驱动级为了能在这个状态下还能驱动场效应管，驱动电压就必须高于电源电压才行，此时，要么单独加一组电压更高的电源，要么想办法提高驱动的电压，这样就产生了自举电路，瞬间提高驱动级的工作电压。

(原)PATO

要想让导通电阻小,发热量小,关键还得是提升制程.INTEL的CPU已经采用了14纳米制程.制程决定导电沟道的长度,数值越小越短,电阻就越小,同样体积下可以塞进去更多的晶体管,进一步减小电阻.高K金属栅极介电材质有更好的绝缘性,更高的介电常数,可以减小栅极漏电,做的更薄,减少功耗......

(原)wxbwxb

楼上的观点不正确。提高制程是对密集型芯片而言，功率器件与制程的关系不大。要提高功率增大电流只有曾大面积，加强散热，从材料、设计着手。功率MOS管的很多参数要求都是相互矛盾的，导通电阻与耐压值就是一对大矛盾，寄生电容也是一个很大的问题，功率越大，电流越大，意味着寄生电容也会大，开关速度就上不去。

(原)PATO

wxbwxb 发表于 2018-5-3 20:20
楼上的观点不正确。提高制程是对密集型芯片而言，功率器件与制程的关系不大。要提高功率增大电流只有曾大面 ...

啊,对,疏忽了.集成芯片与单MOS管不同...但是有些原理是相同的,制程先进电阻就小,发热量小.

(原)合作进步

file:///C:/Users/Administrator/Desktop/%E6%B3%B0%E6%A0%BC%E8%BE%BE.htm

(原)813684918

合作进步 发表于 2018-5-3 10:50
看到没有，与 LM2596S 芯片相比多了一个 BOOST（BST）引脚，一般在该引脚与 SW 之
间串一个小电容，这是为 ...

认真听讲，学习中……

(原)119110aaaaaa

采用P或N，更加先考虑的是G极的控制电路。