发一个正在开发的新24管方案上升沿波形图

(原)frh206

很好很强大，看来48v ECPU可以做的很稳定了。我想知道这个500纳秒上升时间是驱动的什么型号的mos管？因为不同型号mos管的输入电容不一样。比如75管的4000pF左右，4110管10000pF左右，两个的驱动时间应该不一样。当然不同的输入电容平均驱动电流也会不一样（上升时间不一样），所以想知道板子的驱动电路能驱动大功率mos管不烧驱动电路吗（比如4110这样的）？ 我感觉哪怕是驱动75管能有这样的表现也很好了。
希望成品快点上市啊！川办加油！

四川办事处

好像很少在联盟看到川办哇，一如既往的顶
jian.sun 发表于 2011-10-2 05:27

这边控制器同行多，好交流，呵呵

四川办事处

有点过冲也不是坏事。
shouldbe 发表于 2011-10-2 07:21

shouldbe兄
现在的MOSFET在8V就基本全导通了，但用8V时，充电的速度会受影响，8V时，电源的压力大，而15V电源很成熟，所以，现在有很多MOSFET是25V的
空了我把电源改成12V再看一下速度

你的航模搞得怎么样了。

四川办事处

想看看下降沿的，是否拖泥带水。将Vgs提高到18V呢？川办啊，驱动芯片用的啥芯片？选IR智能型的，山寨个烧不坏的吧也行！！！
huzhijun 发表于 2011-10-2 09:03

主要是示波器当时抓图时没抓到下降沿
我明天抓一个有下降沿的图发上来
Vgs提高到18V的优点是充电的速度会更快，但缺点是容易坏，因为多数MOS管Vgs限制是20V的，电源出现波动是很危险的
目前，进口管中除了万华(AOT)是25V限外，其它的都是20V的，国产管中除了锐驰是25V限外，其它的是20V
所以，保守点，我还想试一下12V
驱动电路我没有用IC，而是分离元件构建的

四川办事处

很好很强大，看来48v ECPU可以做的很稳定了。我想知道这个500纳秒上升时间是驱动的什么型号的mos管？因为不同型号mos管的输入电容不一样。比如75管的4000pF左右，4110管10000pF左右，两个的驱动时间应该不一样。当然 ...
frh206 发表于 2011-10-2 09:37

frh206兄，很在行啊
我这个图是驱动STP75NF75的图
是的，因为生产工艺的不同，每种MOSFET的极间输入电容和跨导电容都不相同，75NF75分别是3700和240pF，算是有代表意义，绝大多数MOSFET的极间电容都是在这个范围，4110分别是9620和250pF算是输入电容较大的，但跨导电容却是同级别的，因为外部都是要加电容来抑制米勒震荡的，内部小，外部就用大点的，内部大，外部就用小点的，总的输入电容都差不多，所以，出来的波形也差不多。只有跨导电容没办法调整了，我们都是希望它小一点，但生产就决定它的大小，这在外部是没有办法减小的，而跨导电容都差不多，10个pF单位的差异，在米勒平台上只是25分之一，看不出来的。

四川办事处

发一个国产12管的上升沿图，好比较

电压Y轴单位是2V，时间X轴单位是1us

再来一个川办以前的12管的旧方案图

电压Y轴单位是5V，时间X轴单位是1us

这两个方案都差不多，川办原来的控制器方案就是抄的，10V的上升沿长度都是4us=4000ns

(原)xxd_seeker

看看PWM是90%的上桥上升沿,要是PWM为100%那就没有什么了,呵呵

(原)22317784

我看到 这个好像是能45度坡  是不是能上呢？  呵呵 开玩笑

(原)aa7749629

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(原)jcq

是不是你的桥路正没有电压啊？所以没有那个坎？