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楼主: 四川办事处

发一个正在开发的新24管方案上升沿波形图

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 楼主| 发表于 2011-10-4 15:33:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 四川办事处 于 2011-10-4 15:35 编辑

看一下这个图



这是高标9管控制器的上臂上升沿和下降沿
上升沿10V是2500ns,下降沿是500ns
因为9管控制器的上臂只有一个管子,所以,2500ns并不好
下降沿虽然夹断速度提高了,但干扰非常大,在夹断后又打开了(4V)

下面这个控制器不知道是哪家的方案,外壳上写的是无锡王氏车业

这是一个9管控制器,上臂单管
上升沿2000ns,下降沿1000ns
但干扰非常大,这个控制器的返修率不可能低于15%


下面这是一个33035的老12管控制器,是佳捷时电动车上用的。

上升沿3500ns,下降沿500ns,干扰较小
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 楼主| 发表于 2011-10-4 15:38:11 | 显示全部楼层
前者要保证线路布局的空间科学性,象现在的n形散热条,上下臂分置于散热条两端,而驱动电路又都在一边,必然导致驱动线路与MOSFET距离过长,空间耦合现象非常严重。双比如,上下臂同用一个散热条,通过散热条也会产生 ...
huzhijun 发表于 2011-10-4 15:09


我的方案是这样设计的,但分两边设计可不是简单的事
为此,我已经搞了快一年了,做了13张实验PCB了。
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 楼主| 发表于 2011-10-4 15:40:40 | 显示全部楼层
来看一下我的上臂驱动图


下面这是我的下臂驱动图
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发表于 2011-10-4 15:44:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 huzhijun 于 2011-10-4 15:56 编辑
我的方案是这样设计的,但分两边设计可不是简单的事
为此,我已经搞了快一年了,做了13张实验PCB了。
四川办事处 发表于 2011-10-4 15:38
我坚信,付出会有回报的!在此鄙视一下挟洋自重的凯*!!!

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 楼主| 发表于 2011-10-4 15:58:44 | 显示全部楼层
我坚信,付出会有回报的!在此鄙视一下凯*!!!
huzhijun 发表于 2011-10-4 15:44

为什么要PS凯*呢?他是目前成品中唯一一个成功完成(我的还不能说成功,必竟还没成品销售)上下臂分置设计的厂家啊
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发表于 2011-10-4 16:02:08 | 显示全部楼层
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发表于 2011-10-4 16:28:23 | 显示全部楼层
MOSFET开启与关闭的速度到底是应该快还是应该慢,打个比方,就非常好理解了。
这好比是骑车的加速与制动速度,加速太快,如果不安全,或是烧电机,烧控制器,当然就不能快,制动太快,如果刹车抱死和侧滑,当然就不 ...
四川办事处 发表于 2011-10-4 11:41


谢谢川办抬举,我也只是了解皮毛。尽管是造芯片的。把自己的理解给大家分享,希望可以有帮助。
大家去研究厂家公布的资料就可以了解了。 一般mos管的上升或下降时间都在几十纳秒,到上百纳秒。所以说,如果造个驱动电路,让管子在几纳秒或者更短的时间关断,管子是容易损坏的。这确实和制造工艺有关,芯片的栅极和管脚有电阻(当然也有寄生电感),栅极内部电阻更大(栅极一般用参杂多晶硅制成,电阻率远高于金属)。一个芯片内部由成千上万个小的mosfet管并联(只是这样说,实际远远大于成千上万,基本是亿为单位)。这些小的mos管栅极是并联的,它们之间的走线有电阻,也有电感(栅极和源漏极间更有电容),但是这些并联的栅极对外部只有一个引脚。换句话说,成千上万个栅极和引脚间的电阻并不是一样的(有的离引脚近,电阻就低点,有的离引脚远,电阻就高点),所以它们的上升时间实际上肯定有差别。所以严格上说,这些小的管子不可能同时导通。但是这些管子只要有一个烧坏了,对外表现是整个mos管烧了。 所以厂家有资料显示这个管子推荐的开关时间。换句话说,每个管子自己的能力都不太一样,并不是开关速度越快越好。
我们再回头看看川办控制器的开通时间,500纳秒以上,远大于管子允许的几十纳秒或者上百纳秒的开通时间。也就是说,川办的电路也没有把管子快速开关的能力完全发挥出来。(只是传统控制器的开关速度更低而已)。所以,只有哪天谁开发出了驱动电路,有能力让mos管几纳秒就能开通,我们才需要考虑并联的几个管子是否能同时开启,不同步可能会比较严重。
管子完全导通时电阻很低,几个毫欧(比如75管10毫欧),如果电流是20a,那么管子的功耗只有4瓦,但管子在开通和关断过程中,功耗非常大。比如电池电压60v,管子完全导通时mos管上的压降是0.2v(还是以75管,20a电流算),电机压降就是60-0.2=59.8v。取瞬态考虑,当管子关断到电机电压20v时(关断过程中电机电压从59.8v递减到0v),这时mos管两端压降是60-20=40v 但mos管内部电流几乎仍是20a(因为电机是感性的,电流不能突变)。所以这个时候mos管瞬间功耗是40*20=800瓦。比管子完全导通时发热功率提高了200倍。管子在这种状态下一般能承受几微妙的时间,时间在毫秒,估计一个开关周期就会烧坏(不同型号的管子耐流能力不一样,会有差别)。所以从保护管子来讲,开关速度越快越好,管子不容易烧,发热量低。(mos管工作过程中的热绝大部分都是开关时发的热量,导通后的热量只占了很小一部分)。
mos管在高温下导通电阻会增大,所以可以通过的最大电流会变小。控制mos管的温度很关键。

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发表于 2011-10-4 19:58:19 | 显示全部楼层
川办这几年进步很大!顶!!!!!希望继续坚持!胜利就在前方

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发表于 2011-10-4 21:36:20 | 显示全部楼层
技术贴!强烈支持!付出总有回报,力挺川办!

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发表于 2011-10-4 21:41:20 | 显示全部楼层
路过看看,真精彩啊

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