mos管内阻是不是越小越好

(原)mingliu · 发表于 2013-4-21 11:01:59

http://www.ddclm.vip/thread-235297-1-1.html 这篇帖子说的挺好，只是本人有点钻牛角尖，里面说到了各种管子的内阻，并且只片面的说到管子的内阻是越小越好，我并不苟同，内阻越小只能说发热越小，但用作大功率控制器电流的冲击力是很大的，过分的最求小内阻会使管子的耐冲击力减小，半导体公司为了最求小内阻半导体用的是一种网状工艺结构，他的好处就是可以迎合市场做出相对低的内阻，还有一种管子就是有名的st75的管子相信大家都知道的，这种管子用的是一种沟道工艺，坏处是内阻相对大些所以发热相对大但好处是受冲击能力相对强些，但就目前来说st75的管子正在慢慢的退去，因为发热大，并且性价比也不算高，最后再说明一下，我不是来踢馆子的，川办说的也很好，支持下

(原)斯文流氓 · 发表于 2013-4-21 13:44:45

不错，支持楼主这样的技术讨论，其实管子在内阻小的同时，也要看耐压方面，和管子的稳定性多个方面考虑。

(原)KAUDIO · 发表于 2013-4-21 15:16:24

可能利大于弊吧。保护和吸收做好了不就得了

(原)frh206 · 发表于 2013-4-21 15:29:45

http://www.ddclm.vip/thread-235297-1-1.html 这篇帖子说的挺好，只是本人有点钻牛角尖，里面说到了各种管子的内阻，并且只片面的说到管子的内阻是越小越好，我并不苟同，内阻越小只能说发热越小，但用作大功率 ...
mingliu 发表于 2013-4-21 11:01

楼主这种怀疑和质疑的想法很好，任何事情都需要经过自己思考，不要盲从。
我知道的是基本所有的power mos设计公司都追求把单位面积的功率密度做到最大（就是耐压一定情况下，单位芯片面积内阻越低越好），其次是栅极电容做小（改善mos驱动特性，提高开关速度，降低米勒效应）。当然在这些前提下，雪崩承受能力越大越好。
目前几乎所有的功率 mos都是用沟槽结构（与它相对的是平面工艺，这个在功率器件上基本淘汰了，功率密度太低））。高压器件先进的用super juction（超级结）的cool mos工艺。你说的什么网状结构我没听说过（也许太直白了）。
另外那种大电流冲击能力主要是靠用户合理布线及方法避免出现（雪崩击穿现象好多情况尽管避免不了，但确属于一种非正常工作状态）。当然如果耐这种能力越强，相对的出现异常的大电流脉冲确实损坏几率降低。是有好处的，不过mos里好多参数是矛盾的。好多参数之只能在保证最重要的参数好前提下靠工艺尽量优化改善。

(原)yongren21cn001 · 发表于 2013-4-21 17:50:15

楼主没吃药？做控制器的功率管只要耐压能达到当然是内阻越低越好。内阻低了，发热低，自损低，效率高，百利无一害，高压管没那么低的内阻是制造工艺技术达不到的妥协。还来个不是内阻越低越好的标题，笑喷我！

(原)KAUDIO · 发表于 2013-4-21 22:14:33

5# yongren21cn001 不要打击楼主，都是过来人

(原)斯文流氓 · 发表于 2013-4-21 23:50:10

技术讨论，是对是错，大家可以讨论，怎么能打击楼主的？新马甲注意了。

(原)yongren21cn001 · 发表于 2013-4-22 00:46:43

讨论？控制器要的管子三大要素:开关快，耐压高，内阻低。这是常识，升华到技术讨论了？

(原)yongren21cn001 · 发表于 2013-4-22 08:34:38

控制器上的场效应管，三个为一组，分别控制电源，取样电阻，反馈端的通断，最重要的性能就是管子的开关的速度和好坏。
判断这个就需要考虑到管子的导通内阻，漏极最大电流和线性降额因子。
这是最基本的了，更复杂的就不说了。
你来个不是内阻越小越好的火星理论，这不是给人笑嘛？

(原)jacky517 · 发表于 2013-4-22 10:02:23

开技术贴是好事啊。楼主的前提是忽略了Vds一定的这个前提，Rds毕竟只是MOS管众多参数的一部分，一味的追求Rds小确实不一定好，但能综合考虑做到各参数匹配最好，这当然是每个设计人员都想要的。

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