碳化硅Sic MOSFET C2M0080120 31A 1200V 拆机与特斯拉电路板的。发出来大家看看

(原)伟腾电子

在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。


用这类管子非常省电，现在好像电动汽车应用比较广泛

(原)伟腾电子

参数是31A 1200V  现在还有很多碳化硅肖特基管 耐压也是非常高

yang9845

管不错，耐压真高，科技确实在进步。

(原)伟腾电子

yang9845 发表于 2018-1-9 12:35
管不错，耐压真高，科技确实在进步。

是的，慢慢会代替掉传统的MOS管

(原)a7b7

能不能举个控制器例子对比一下，换了这些管子，会比原来提升多少性能？

(原)伟腾电子

a7b7 发表于 2018-1-9 13:04
能不能举个控制器例子对比一下，换了这些管子，会比原来提升多少性能？

更高效  低耗能 耐高温 稳定性好

(原)伟腾电子

a7b7 发表于 2018-1-9 13:04
能不能举个控制器例子对比一下，换了这些管子，会比原来提升多少性能？

有空可以百度了解下，现在开始普及了。但价格非常昂贵

yang9845

a7b7 发表于 2018-1-9 13:04
能不能举个控制器例子对比一下，换了这些管子，会比原来提升多少性能？

两轮就别想了，不会提升不说，反而大大下降，简直能到不能用的地步，这可是1200V的管子。

MOS尽量在安全的前提下用完标称电压，因为电压越高的管，导通内阻越难做小。
所以48-120V的控制器其实很不科学，这里面应该细分两档的，72V下用100V的管，72-120V用150V的管。
例如同级别的IRFB4110和4115，就因为一个耐压100V一个耐压150V，但100V的4110走的电流能差不多比4115多一半，然后都用在72V平台上，4115就不合理了。

(原)zhiyiyunmeng@

使用这个MOS不如使用IGBT实在和性价比。
这个管子20A压降3V了。
特斯拉使用的IGBT 管子120A压降才1.7V也是247封装的。

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zhiyiyunmeng@ 发表于 2018-1-9 15:01
使用这个MOS不如使用IGBT实在和性价比。
这个管子20A压降3V了。
特斯拉使用的IGBT 管子120A压降才1.7V也 ...

嗯，有时候得看什么地方，比如这电路只要求管子耐电流电压10A 1200V左右，用120A  1200V上去也肯定不行的。得看同等情况下