准备组装24大管控制器改驱动电路求指导

(原)frh206

另外，因为米勒效应影响，负压驱动我也可能考虑做，实在不行就重新印一套板子。刚才请教另一位大侠指导我说要注意死区时间，那个得改程序，不行就不用宇阳的板子了，自己转印一张。那位大侠推荐我用C2000，有现成的原 ...
KAUDIO 发表于 2013-3-1 21:55

不要叫大侠了，有点怪怪的，实在称不上大侠。我是从事芯片制造行业的，电动车只是业余爱好，主要是因为自己在用电动车，否则也不关注。
看过了板子，（有些走线看不清楚，不过也没关系），总的感觉布局还行（从抗干扰来讲离最优化还有很大差距）。用单个小分离三极管驱动4个4468确实挺勉强的，尤其是上臂关断速度，不容易快关断，驱动电流大了，小三极管容易烧，驱动电流小了，开关过程损耗大。 你可以尝试不改变板子情况下200a限流（我之前提的限流都是母线电流，不是指相线峰值电流）。昨天我提到的阈值电压低的mos管，确实用负压驱动是最好解决方法。 另外注意的是管子并不是开关速度越快越好，因为开关快了，电路寄生感抗很大（并联mos管之间也可能振荡），米勒振荡平台也会很厉害（这时板子布局优化最重要）。当然用这个板子的一个小三极管驱动4个4468，基本上不用担心开关快，反而应该是开关慢了。
mos管推荐参数，在满足耐压前提下（适当余量是需要的），电压够用就行，这样可以选择小的Rds（on），Rds（on）越小越好，另外米勒电荷Qgd越小越好。前两者基础上，如果可能，选择高阈值电压管子（如果是负压驱动，这个指标不重要）
看目前世界几个知名品牌mos管，目前没有能超越英飞凌的。同样芯片面积上，英飞凌的Rds（on）是IR的0.6-0.8，Qgd也是IR的0.6-0.8之间。换句话说，IR的技术离infineon差距还挺远（这些指标英飞凌5年前就达到了，IR目前好像还没有抗衡成品上市）。mos管各种参数仍继续在优化，不过未来优化会很慢，因为基本快达到硅芯片技术的理论极限（对英飞凌来说，对其它厂家还有不小增长空间）。另外，注意市场上假货很多，尤其是淘宝。假货还不如国内正规厂家的好。在做大功率时，往往都是多管并联，并联管数越多，要求参数一致性越好，否则达不到理想效果。并联用时，主要是注意阈值电压近似的放一组。最好用同一批次的管子，不同批次的许多参数差别挺大。

(原)zhongyj9932

5楼正解，装上试了再说

(原)KAUDIO

不要叫大侠了，有点怪怪的，实在称不上大侠。我是从事芯片制造行业的，电动车只是业余爱好，主要是因为自己在用电动车，否则也不关注。
看过了板子，（有些走线看不清楚，不过也没关系），总的感觉布局还行（从抗 ...
frh206 发表于 2013-3-2 12:06

哈哈，HIFIDIY论坛叫大侠叫习惯了
您对MOS管的选取有什么意见？我看了英飞凌，100V下最好的就IPP030N10N3G了吧，220封装的，内阻3mΩ，别的参数暂时没看，100V下没有247封装或264封装的大管。对于这IR的4468和英飞凌的管子该如何取舍？用多少个030N10能轻松做到200A限流？36个恐怕有难度吧
查了一下文献，大部分的驱动芯片都支持负压驱动，驱动芯片如果不支持负压驱动，只需 要一个电容和一个二极管对吗？
另外，关于驱动芯片还有个

开通传导延时的参数，也得考虑吧。如果用电流较小的驱动芯片 加图腾电路扩流可以吗，会不会影响开通延时？

关于PCB我在国外论坛找到个驱动+MOS的图，MCU部分是垂直插件形式，比较灵活，想仿制一下，稍后会贴出图。要保证G极线路最短还要注意哪些？我想把MOS固定在散热片上用搭棚做，G极引线用最短的方式通过屏蔽线引到PCB上可以吗？

(原)KAUDIO

找了点资料，有人说做逆变时驱动电路干扰导致同一臂另一MOS管误导通，下面是回帖给的解决方案（除了改善布线的内容）
下管VDS急速上升因为存在Cgd，把栅极电压也拉高，这个时候电压多数是加在栅极电阻上的，Rg要承担大部分电压，那么你只要在Rg上并联一个电容，容量是Ciss两倍差不多就行，别太大，大了会使驱动电路过载。这样密勒电容充电的时候电压就不会加到Rg上，而是加到驱动电路上了，只要你的驱动电路内阻小于Rg，那么就可以改善扰动
Rg我以一般是这么取的，驱动芯片输出电流是几A 用驱动电压除以这个电流就是Rg 通常驱动器资料会给出驱动器输出阻抗的，可以看出Rg通常大于输出阻抗5~10倍
这说明驱动器的输出能力其实远远不止Rg限制的电流，只是因为封装热阻的原因，不允许其长时间工作在这么大的电流，所以我们可以让其在短时间内过流（mos管开关过程也就几十ns，短时间过流不会造成伤害）并电容就是这个原因，当然并多大的电容主要还是取决于驱动器，如果驱动器允许的情况下当然是越大越好好，但要经过老化测试确保稳定性。

(原)KAUDIO

看一下资料，老外是用MC33033做的，纯硬件吧。还有一个无霍尔的，小改一下可以做成有霍尔的吧
昨天向rayman请教了一下，他推荐MCU用TI的C2000做，有完整的方案

(原)艽茉名堂

围观，看不懂

(原)frh206

哈哈，HIFIDIY论坛叫大侠叫习惯了
您对MOS管的选取有什么意见？我看了英飞凌，100V下最好的就IPP030N10N3G了吧，220封装的，内阻3mΩ，别的参数暂时没看，100V下没有247封装或264封装的大管。对于这IR的4468和英飞凌 ...
KAUDIO 发表于 2013-3-2 22:00

英飞凌低压mos管没有247封装的，高压的和igbt才有247封装。030n10n典型内阻2.6mΩ。耐压108v左右。24管ir4468能做的限流，36管的030n10肯定能做（当然两者电路都需优化，不优化的电路好的管子有可能没一点优势）。030n10 的Qgd才28nc，而4468的Qgd是89nc（超过3个030n10并联了）。当然不只这个型号，英飞凌所以型号mos的Qgd都比IR的低了很多。至于负压驱动的芯片我没了解过，是不是能用一个电容和二极管搞定也不清楚（暂时想不起来原理。如果你有，可以分享下如何只用一个二极管和电容搞定负压驱动，我之前好像只见过直接用负电源供电的）。你所考虑的那些驱动延时肯定是必须考虑的，所以死区时间可能需要多电路做优化（可能要改软件，或者说软件的死区时间要与驱动电路匹配）。驱动搭棚是可以的，减小环路面积，注意感抗控制。这些说起来简单，真的要做到是非常难的。（对驱动芯片和MCU部分我从没研究过，所以这部分帮不了你了）

(原)frh206

找了点资料，有人说做逆变时驱动电路干扰导致同一臂另一MOS管误导通，下面是回帖给的解决方案（除了改善布线的内容）
下管VDS急速上升因为存在Cgd，把栅极电压也拉高，这个时候电压多数是加在栅极电阻上的，Rg要承担 ...
KAUDIO 发表于 2013-3-2 22:43

这个误导通的问题可以降低开关速度（不顾开关损耗会增大），另外gs间并电容。如果你选择gd米勒电容小的管子就能大大改善或彻底解决这个问题（比如英飞凌的低米勒电容管子）。
在电路设计上好多都是矛盾的，最终需要找个平衡。另外想知道你要做多少v的控制器啊。一定选择100v的管子吗？是想做84v的吗？如果做72v以下控制器，可能不需要100v耐压管子。

(原)KAUDIO

英飞凌低压mos管没有247封装的，高压的和igbt才有247封装。030n10n典型内阻2.6mΩ。耐压108v左右。24管ir4468能做的限流，36管的030n10肯定能做（当然两者电路都需优化，不优化的电路好的管子有可能没一点优势）。 ...
frh206 发表于 2013-3-3 20:44

谢谢你了
其他高手都潜水呢~
这几天好好研究一下。等示波器弄来就试一下，

毕竟一个电路能良好工作要经过仔细调整。

（选购示波器也帮参考一下吧，想选个进口二手的模拟示波器，不知道多少兆够用。单踪还是双踪合适）

我怕管子多了参数不好做到一致容易出问题，在选管子上很纠结。还希望您能推荐一下。管子成本不低，还是得好好斟酌一下。看淘宝二手030n10卖2.2元，新的7-10元吧，而4468是16一个，都差不多

(原)KAUDIO

18# frh206 我想做个72或84的，偏向72V，如果做72V的控就得100V管子吧，84V控要120V的管子了。耐压稍高（150V和以上）管子的内阻都很大。