展示下特斯拉同款控制器牛管给大家看看

(原)王WZJ_97

tc581234785 发表于 2017-7-18 11:30
这么说，150v是MOS和IGBT应用分界线。

基本是这样，但是MOS也有高耐压的，是因为耐压越高的MOS内阻就越大，所以只能用于小电流的地方。
IGBT耐压高，但是内阻没有太大变化，在低压领域，IGBT反而没有MOS的低内阻优势

(原)syfat

别总考虑内阻，开关频率啥的，别忘记mos的保护机制和IGBT的保护机制差了多少。。。。

(原)光輝歲月

tc581234785 发表于 2017-7-18 11:30
这么说，150v是MOS和IGBT应用分界线。

我觉得不能这样定义两者的命名。

(原)信铁锂得长生

syfat 发表于 2017-7-18 12:21
别总考虑内阻，开关频率啥的，别忘记mos的保护机制和IGBT的保护机制差了多少。。。。

保护机制怎讲，望科普。

(原)syfat

信铁锂得长生 发表于 2017-8-2 00:30
保护机制怎讲，望科普。

说简单的，igbt是可以内置温度检测的，其他的科普不来，理解不了。

one486

不懂，围观

(原)syfat

信铁锂得长生 发表于 2017-8-2 00:30
保护机制怎讲，望科普。

模块式IGBT，有自我诊断，出现过流等，会给驱动板发错误信号的。

(原)信铁锂得长生

syfat 发表于 2017-8-2 07:45
说简单的，igbt是可以内置温度检测的，其他的科普不来，理解不了。

原来是这样，厉害了。

(原)信铁锂得长生

syfat 发表于 2017-8-2 11:06
模块式IGBT，有自我诊断，出现过流等，会给驱动板发错误信号的。

过流过压都能够自行保护

(原)syfat

信铁锂得长生 发表于 2017-8-6 06:38
过流过压都能够自行保护

不能说自行保护，是给出信号，控制板来保护。