爆改控制器， 换MOS IRFB4110 改驱动电路 探讨 最新 波形图

(原)vttteyym2002

啊，我都是直接换的管子，改驱动的活做不了。。。
我用的是12管25A限流的高标产绿源控制器，原75管7换成4110，比原来发热小多了，现在急速十分钟比原来5分钟温度还低很多

四川办事处

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e1和e2 43欧
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(原)shouldbe

说说我的理解。一知半解，也给不出确定有效的方案，只是抛块砖头，希望引出玉石。

几点思路：

1. MOS GS之间的充放电回路内阻一定要小，才能保证有足够的充放电电流
2. GS间电路应该引入反冲机制，利用电容、二极管等元件，在驱动GS时高电平最初瞬间高过驱动电源电压，低电平最初瞬间低于地。只有这样才能加快GS的开关速度，改进上升和下降沿的波形

上管驱动：上管驱动应该用的是自举电路。这种电路本身驱动能力有限（我是听说，具体为甚不知，反正知道讲究的驱动电路一般不用自举电路）。所以只能改进，但无法有质的飞跃。我看到的有几个地方可以改进。

1）将C5改为钽电容，降低ESR，提高高温稳定性
2）将D1改为1N581x的肖特基二极管，改进开关特性，避免V2由导通变为截止时D1反向向+12V充电
3）D7改为1N581x的肖特基二极管，改进开关特性
4）在D7上并联一个几百pf-1nf级的小电容。U4A输出高电平的时候加快t1对GS的充电速度
5）降低e1的阻值至几十欧姆的级别，同时降低b1和R58至470-1k的级别。原e1为510欧，在12V下最大电流只有20多毫安，GS充电速度太慢了。但这样会增加+12V的负担，以及拉低C5的电压。还会增大t1的负荷。所以需要综合考虑并加以试验。试验时控制器可以接电机空转而不用下地。关键看驱动电路中各个元件的发热情况，以及GS驱动波形的改善情况
6）降低d1的阻值至470-1k欧，使t2在U4A输出低电平的时候直接进入饱和导通状态，加快8550的开关速度，进而加快GS下降沿的速度

下管驱动：思路基本相同

1）e2降低至几十欧姆，再并联一个470pf-1nf的电容
2）b2降低470-1k
3）f1降低至470

另外有个疑问：t2和n2上并联的k1和k2两个10nf的电容是否是代表V1和V2 GS之间的等效电容？

(原)shouldbe

啊，我都是直接换的管子，改驱动的活做不了。。。
我用的是12管25A限流的高标产绿源控制器，原75管7换成4110，比原来发热小多了，现在急速十分钟比原来5分钟温度还低很多
vttteyym2002 发表于 2012-5-5 00:53

原控制器驱动电路如果做得好，改了就会明显有效果。但如果做得不好，改了效果就不会那么明显。因为MOS内阻上的改善被MOS GS高电容带来的驱动波形恶化给部分抵消了。

(原)shouldbe

U4A、U2B用的CMOS逻辑门电路也有改进的余地。74HC系列的CMOS门电路有些厂家是有高电流图腾柱输出版的。应该选用。这样可以避免降低b1和f1的阻值带来的U4A、U2B输出波形变劣的问题。

(原)shouldbe

限流无须改，一改问题更多。说到底，小控制器散热不好，即使外挂也不理想。目前改过的控制器中，效果最好的是晶汇的12管，比协昌15管效果都好，关键是软件程序问题。
拿老张18管用4115改的还没晶汇12管好， ...
飞翔的蓝天 发表于 2012-5-5 00:35

1. MOSFET内阻足够小，驱动电路波形足够好，开关损耗足够小，9管也不是不能上到35A。4110 3.7毫欧的典型内阻下，2并+1串大约5.55毫欧的内阻。35A电流下内阻上功耗大约7W。开关损耗控制在相同的水平的话，14、5W的功耗一个小控制器的外壳散热也应该可以扛得住了。

2. 这就是MOS驱动上的技术差距。晶汇的控制器真的是经过非常细心的设计和实践检验调校的。科班+实践不可小窥。

(原)huang603584345

你改也找个12管的改啊…………………………………………………………………………用9管的就是改好了，也用不了几天！

(原)vttteyym2002

那到不一定，有人用6管改超压96也用了很久。这与控制器，管子，电机，使用方法都有关系的。但12管保险系数还是高很多的

(原)huzhijun

电动车控制器驱动电路——

上升沿时间太长  MOS管 发热高， 容易爆管
踏实起步 发表于 2012-5-4 23:49

简单的传统分立式电路基础在那儿了！改成互补输出驱动可以提高开关速度30%。但PCB不好动吧。现在都用专用的集光电耦合，过压，过流，过载，过热，整形，加速，抗干扰，负偏压于一身的IC驱动了，用分立式的不多了。也许不入流的还热衷于此？

(原)踏实起步

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四川办事处 发表于 2012-5-5 02:14

高手一出现，直接击中要害，