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楼主: 搬砖道人

功率mos在电动车控制器中应用(mos,你了解多少)

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发表于 2013-5-9 23:00:03 | 显示全部楼层
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这帖子真不行让他就这么沉了。
付工:最近遇到一个问题,关于封装上的。如果打线的时候用一条铝线和两条铝带,会不会出现芯片受热不均,然后有部分会受到更大电流冲击,导致此处易烧坏?

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发表于 2013-5-12 01:57:28 | 显示全部楼层
那段我以前一直没有懂,原因是没有人去写的这么详细,特别是配图没有人画的这么清楚。很多人其实也是一知半解。所以人云亦云的多。认真写的少。你这段图文并茂,对于有基础,但不了解细节的人会容易理解。没有一定的电子知识,恐怕还是看不懂。哈哈。

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发表于 2013-5-12 01:59:47 | 显示全部楼层
米勒这段本来就挺复杂的,不容易懂。我也是看第二遍突然就看懂了。

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发表于 2013-5-12 02:17:07 | 显示全部楼层
下次讲讲怎么抑制密勒震荡吧。我一直认为只要有足够的驱动电流(图腾柱、串联并有电容的肖特基二极管,1.5A/MOS以上的峰值电流),MOS开关速度就不是问题。但看起来似乎并不一定如此。似乎还有其他限制条件。如果其他条件不满足,驱动电流即使够大,仍旧可能因为不能消除震荡,仍旧无法快速开关。有机会再讲讲其他关键限制条件吧。我猜想可能要结合某种典型的MOS管来讲。

从你的帖子来看,这个电容和两端电压居然有关系,真是奇特的电容。大概和MOS的沟槽结构有关吧。似乎沟槽是会随着电压高低变化的

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发表于 2013-5-12 08:45:10 | 显示全部楼层
101# frh206  

这帖子真不行让他就这么沉了。
付工:最近遇到一个问题,关于封装上的。如果打线的时候用一条铝线和两条铝带,会不会出现芯片受热不均,然后有部分会受到更大电流冲击,导致此处易烧坏?
jacky517 发表于 2013-5-9 23:00

不知你说的什么产品,什么封装方式。不过你提的这个问题是很重要的(尽管我对封装不太熟悉)。对你的问题,我有两种理解(或者说你让我有点误解了,问题没说太清楚)。下面以mos器件举例。

第一种理解是指望这条铝线能给芯片降温。对功率器件来讲,设计时应该不怎么考虑这个铝线或铝带给芯片降温,反而是大电流下铝线自己的温升比芯片的都高。铝线考虑的是用多粗的铝线能承受多大的持续电流(前提肯定是考虑铝线在这个电流下的最大温升)。不过铝线的温升基本不会和芯片完全同步,这样就存在铝线和芯片的键合点(接触点)有温差,存在温度传递。所以接近铝线触点的芯片温度和远离它的确实有些不同,不过应该差别不太大,否则严重影响芯片里面电流均衡性(这里是指由温差引起的不均衡,温度影响导通电阻,影响阈值电压等),管子在大电流下一定不稳定。

第二种理解是你问的就是这个铝线会引起芯片上电流不均衡,原因是接触铝线的地方电阻最小,远离它的地方电阻大(因为一个mos里面有上千万个小mos单位并联,远近不同,内部金属连线距离不同,肯定引起金属连线导致的电阻差)。理论上来讲,这种差别是一定存在的。所以为了降低这种差别,可以采取整个芯片表面全焊接(对mos来讲,一般背面漏级是全焊接的,直接焊在铜片上。对正面源级一般都是铝线或铝带键合的,不是全接触)。或者是不全焊接(绝大多少都是采取这种方式),那么为了降低这种影响,只能芯片表面金属膜长厚有些(相当于金属连线搞粗了),这样就降低了由于金属连线远近导致的电阻差。

这些问题,一般厂家在产品设计时都会考虑的。根据器件设计的最大电流,来采取相应封装方式(有时是封装方式限制了最大持续电流)。

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发表于 2013-5-12 08:48:45 | 显示全部楼层
那段我以前一直没有懂,原因是没有人去写的这么详细,特别是配图没有人画的这么清楚。很多人其实也是一知半解。所以人云亦云的多。认真写的少。你这段图文并茂,对于有基础,但不了解细节的人会容易理解。没有一定的 ...
shouldbe 发表于 2013-5-12 01:57

你还研究这玩意啊。呵呵  一般工作行业和这个无关的不怎么研究它。能了解就好了。对于普通使用者,没学过这方面理论的,确实应该是不懂,很抽象的一个东西。

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发表于 2013-5-12 08:59:49 | 显示全部楼层
下次讲讲怎么抑制密勒震荡吧。我一直认为只要有足够的驱动电流(图腾柱、串联并有电容的肖特基二极管,1.5A/MOS以上的峰值电流),MOS开关速度就不是问题。但看起来似乎并不一定如此。似乎还有其他限制条件。如果其他 ...
shouldbe 发表于 2013-5-12 02:17

你以前基本搞反了,驱动电流越大,mos峰值电流越大,电路越容易出问题,工作不正常,越容易震荡,甚至出现上下臂短路现象。足够的驱动电流不难做到(mos管太容易驱动,相比大功率可控硅),难做到的是电路怎么设计能在大电流驱动下稳定工作(不出现大电流,电压干扰脉冲)。目前只能说理论上把这些电路中的寄生电感努力做到最低,做到各mos均衡。具体方法不说(当然不同方案布局具体方法肯定不一样),应该会涉及到商家的一些利益。如果我是造控制器的厂家,更不会说,呵呵,请理解。比如凯利能把它怎么设计的告诉我们吗。(如果你有具体的问题,可以给我短消息,我针对你的板子做简单电路优化探讨。只能是针对个人用户探讨,不牵扯商业利益,商家就免了)

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发表于 2013-5-12 09:07:09 | 显示全部楼层
对于我这样的小白来说,只能膜拜了

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发表于 2013-5-13 15:59:40 | 显示全部楼层
你以前基本搞反了,驱动电流越大,mos峰值电流越大,电路越容易出问题,工作不正常,越容易震荡,甚至出现上下臂短路现象。足够的驱动电流不难做到(mos管太容易驱动,相比大功率可控硅),难做到的是电路怎么设计 ...
frh206 发表于 2013-5-12 08:59


也就是好奇。没有别的意思。我连拆开控制器短路康铜丝都嫌麻烦呢。谢谢!

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发表于 2013-6-14 23:53:08 | 显示全部楼层
看得是懂非懂的,楼主的意思是控制器的性能跟控制器的方案有很大的关系,方案好可以用差一点的管子,方案差就只能用好一点的管子了?

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