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发表于 2013-4-18 16:32:00
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本帖最后由 东海之东 于 2013-4-18 16:46 编辑
楼主说的简明扼要. 确实,如果能做好MOS管的驱动,消除或减少栅极驱动波形的密勒效应,提高开/关导通速度,加强管子散热效果,那么我们手中的控制器的实际控制负荷完全可以提高2~3倍以上. 如果控制器能选用专业的IC驱动,事半功倍! 现在好的IC 驱动,已能很好地消除弥勒效应,开/关的导通速度可以做到10~15 纳秒左右了.开关速度比简单的晶体管分立式元件(数微秒)整整提高了几个数量级! |
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